半導体受光素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337968
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202253
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】半導体受光素子の製造方法において、狭小マスクを用いた選択成長によるメサ構造形成と高抵抗InAlAsエピパッシベーションを用いる。前者の目的は、メサ表面へのウェットエッチングによる欠陥あるいはキャリアトラップ準位形成を防ぎ、且つ、面内均一性を大幅に向上すること。また後者の目的は、半導体層とパッシベーション膜界面のボンド結合を強固にし、リーク電流抑圧及び信頼性向上が得ることである。また、両者を採用した製造方法においては、エピパッシベーションまでを1回の成長ででき、製造工数の低減、また、半導体表面を大気に曝さずにパッシベーション膜を形成できるので良好な界面を得ることができる。【構成】半導体受光素子の製造方法において、狭小マスクを用いた選択成長によるメサ構造形成と高抵抗InAlAsエピパッシベーションを用いる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の光吸収層等の積層部分を選択成長を用いて形成する半導体受光素子の製造方法において、選択成長のマスク幅を0.5μm以下としたことを特徴とする半導体受光素子の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭60-254629
半導体光素子アレイの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-048467 出願人：富士通株式会社
特開平2-156586

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