特許

J-GLOBAL ID：200903016374674713

接点用開口を有する半導体基板に接点を形成する方法

発明者： セイレッシュ マンサイン マーチャント ,  バイン ニュエンフ ,  ミンゼオック オー
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-153701
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354466
出願日： 1999年06月01日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板に良質な接点用プラグを形成する方法を提供する。【解決手段】 本発明の導体基板に接点を形成する方法は、半導体基板の一部と、半導体基板に形成された接点用開口内にバリア層414、415を堆積するステップと、前記接点用開口内のバリア層内に接点用金属435を堆積するステップと、前記半導体基板から前記接点用金属の部分とバリア層を除去し、前記接点用開口内に接点プラグを形成するステップと、前記接点プラグを前記バリア層をアニールするのに十分な温度に加熱するステップとを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

(A) 半導体基板の一部と、半導体基板に形成された接点用開口(410)内にバリア層(414,415)を堆積するステップと、(B) 前記接点用開口(410)内のバリア層内に接点用金属(435)を堆積するステップと、(C) 前記半導体基板から前記接点用金属の部分とバリア層を除去し、前記接点用開口内に接点プラグを形成するステップと、(D) 前記接点プラグを前記バリア層をアニールするのに十分な温度に加熱するステップとを有することを特徴とする接点用開口を有する半導体基板に接点を形成する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-190151   出願人：松下電器産業株式会社