特許
J-GLOBAL ID：200903016386952719
半導体デバイスの生産方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-070991
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311926
出願日： 1993年03月09日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】高速、高精度に、全自動で異物等の欠陥を検出できるようにして、全数の欠陥検査、十分な欠陥検査頻度の抜き取り検査を実現し、高効率の半導体デバイス生産方法を提供する。【解決手段】半導体デバイスの生産方法において、基板に対して処理を施す前に基板を光学的に検査して基板上の所定の領域の異物の状態を検出し、異物の状態を検出した基板を基板処理装置で処理し、処理した基板を再度光学的に検査して基板上の所定の領域の異物の状態を検出し、処理前に検出した基板上の所定の領域の異物の状態と処理後に検出した基板上の所定の領域の異物の状態とに基づいて、基板処理装置の異物発生状態を監視しながら基板を処理し、監視により基板上の所定の領域の異物の発生の異常を検出したときには警報を発するようにした。
請求項（抜粋）：
基板に対して処理を施す前に前記基板を光学的に検査して前記基板上の所定の領域の異物の状態を検出し、該異物の状態を検出した前記基板を基板処理装置で処理し、該処理した基板を再度光学的に検査して前記基板上の所定の領域の異物の状態を検出し、前記処理前に検出した前記基板上の所定の領域の異物の状態と前記処理後に検出した前記基板上の所定の領域の異物の状態とに基づいて、前記基板処理装置の異物発生状態を監視しながら前記基板を処理し、該監視により前記基板上の所定の領域の異物の発生の異常を検出したときには警報を発することを特徴とする半導体デバイスの生産方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 J
, G01N 21/956 A
