特許
J-GLOBAL ID：200903016390833678
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-188981
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036364
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【目的】 チャネル層の上下にゲート電極を有する高性能の半導体装置を、2つのゲート電極間の位置ずれがなく、製造工程が大幅に増加せず、低コストで製造できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板10と、半導体基板10の主表面に独立して形成されたソース拡散層34及びドレイン拡散層36と、ソース拡散層34とドレイン拡散層36との間の半導体基板10上に、第1の絶縁膜24を介して形成され、且つ、ソース拡散層34及びドレイン拡散層36に接続された半導体層30と、半導体層30上に、第2の絶縁膜26を介して形成されたゲート電極22とを有する。半導体層30をチャネル領域とし、ゲート電極22を上部ゲート、半導体基板10を下部ゲートとするMISトランジスタを形成することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の主表面に独立して形成されたソース拡散層及びドレイン拡散層と、前記ソース拡散層と前記ドレイン拡散層との間の前記半導体基板上に、第1の絶縁膜を介して形成され、且つ、前記ソース拡散層及びドレイン拡散層に接続された半導体層と、前記半導体層上に、第2の絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 H
, H01L 29/78 301 Y
