特許

J-GLOBAL ID：200903016403621578

半導体発光素子

発明者： 辻村 歩 ,  長谷川 義晃 ,  石橋 明彦 ,  木戸口 勲 ,  大塚 信之 ,  鈴木 政勝 ,  伴 雄三郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-299644
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119105
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 III族窒化物半導体におけるp型層の低抵抗化、c軸配向性分布の改善を行い、発光素子の信頼性を向上させる。【解決手段】 p型層にはSiが1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されている。これによりp型層の抵抗率は、Siが実質的に含有されていない場合に比べて40〜90%に低減する。また、サファイア基板面上にSiを含有するGaN層を隣接させると、Siが実質的に含有されていない場合に比べてGaN層のc軸配向性の分布は狭くなる。

請求項（抜粋）：

少なくともIII族元素およびNを含有するp型伝導層に、ドナー性不純物が1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されていることを特徴とする半導体発光素子。

Fターム (14件)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (1件)

• III族窒化物レーザダイオードおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-085226   出願人：富士電機株式会社