Si転写マスク、及び、Si転写マスクの製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-151684
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135129
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】電子ビーム描画装置のマルチショット描画方式などに用いるSi転写マスクをドライエッチングと異方性エッチングの組合わせで、作製することでSi屑などの異物を低減し、高信頼のSi転写マスクを提供する。【構成】貼り合わせSi基板の一表面へ転写マスクパターン4とチップ化するためのパターン5をドライエッチングで加工し、保護膜を形成後、もう一方の表面へ形成した開口パターン7および8をシリコンのシール剤を用いて保護しウェハ一括異方性エッチング加工することでSi転写マスクをチップ化する。【効果】帯電防止膜の剥離や、チャージアップの生じないSi転写マスクが得られ、高精度の描画ができる。

請求項（抜粋）：

シリコンを除去してパターンを形成する工程と、前記各々のパターンの面積よりも大きな開口を有するようにシリコンを除去して脆弱部を形成する工程を有することを特徴とするシリコン転写マスク製造方法。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-243118
特開昭53-085169
特開昭64-073622

全件表示

前のページに戻る