特許
J-GLOBAL ID：200903016417523056

CVD装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
伊藤 武史

伊藤 武史 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-318447
公開番号（公開出願番号）：特開2005-086086
出願日： 2003年09月10日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
【課題】ダミー基板を新品のものと交換した場合であっても、交換後、最初の成膜処理において製品となる基板の膜厚が極端に薄くなることがなく、膜厚の均一化を実現する。【解決手段】ボート2の少なくとも下層部に配設するダミー基板110として、表面に予め薄膜が形成されたものを使用することで、ダミー基板110を新品のものと交換した後の最初の成膜処理においても、下層部周辺に略均一な上昇気流を発生させることができ、製品となる基板1に対して十分な成膜ガスを供給して膜厚の均一化を実現する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
炉本体内に、上層部と下層部とにダミー基板を配設すると共に中間層に製品となる複数の基板を配設するボートを挿入して、上記製品となる各基板の表面に薄膜を生成するCVD装置において、 少なくとも上記下層部に配設される上記ダミー基板の表面に薄膜が予め形成されていることを特徴とするCVD装置。
IPC (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/52
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/52
Fターム (14件)：
4K030BA30 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB11
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 縦型減圧CVD装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-302462   出願人：国際電気株式会社
審査官引用 (2件)

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