アクティブマトリクス基板

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-148232
公開番号（公開出願番号）：特開2002-341373
出願日： 2001年05月17日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【課題】IPS(イン・プレイン・スイッチング)タイプ等の画素電極が配線構造を持つ液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板において、配向規制力不足に起因する光ヌケおよび黒シミの画像不良を低減するかまたはなくす。【解決手段】絶縁体基板1上に形成したソース線とコモン線及びゲート線2から選ばれる少なくとも一つの配線より上層に位置する配線5a,5b,6a,6bまたは電極7a,7bの断面を凸型の形状とする。これにより、画素電極の階段構造によってアレイの最表面層がよりなだらかになるので、ラビングによる配向規制力が向上し、配向不足による光ヌケをなくすことができる。前記凸型断面をもつ配線は2層以上の膜構成としてもよい。これにより、凸型断面の上側と下側の線幅比を基板面内で制御する製造工程が容易となる。

請求項（抜粋）：

絶縁体基板上に形成したソース線とコモン線及びゲート線から選ばれる少なくとも一つの配線より上層に位置する配線または電極の断面が、凸型の形状であることを特徴とするアクティブマトリクス基板。

IPC (8件)：

G02F 1/1362 , G02F 1/1343 , G09F 9/30 330 , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 , H01L 21/3213 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (10件)：

G02F 1/1362 , G02F 1/1343 , G09F 9/30 330 Z , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 , H01L 29/78 616 T , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 616 U , H01L 21/88 C , H01L 29/78 627 C

Fターム (62件)：

2H092GA13 , 2H092GA14 , 2H092GA16 , 2H092GA17 , 2H092GA25 , 2H092GA26 , 2H092GA33 , 2H092GA34 , 2H092JA24 , 2H092JA41 , 2H092JB57 , 2H092MA05 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 2H092QA07 , 5C094AA03 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA14 , 5C094DA15 , 5C094DB01 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094EB02 , 5F033HH08 , 5F033HH18 , 5F033MM05 , 5F033MM17 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ21 , 5F033VV15 , 5F033WW01 , 5F033XX01 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110FF03 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HM02 , 5F110HM19 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110QQ03

引用特許：

審査官引用 (3件)

液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-000160 出願人：三星電子株式会社
アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-241680 出願人：株式会社日立製作所
液晶表示素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-160707 出願人：松下電器産業株式会社

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