特許
J-GLOBAL ID：200903059961091357
液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-000160
公開番号（公開出願番号）：特開2000-206571
出願日： 2000年01月04日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 TFT用薄膜トランジスタ基板の製造工程を単純化する。【解決手段】 保護膜を蒸着した後、その上に陽性の感光膜PRを塗布する。光透過度が画面表示部Dと周辺部Pとで異なるマスクを通して感光膜に光を照射してから現像し、厚さが異なる感光膜パターンを形成する。画面表示部Dの感光膜パターンは薄い部分Cと厚い部分Aとからなり、周辺部Pの感光膜パターンは厚い部分Aと厚さがない部分Bとからなる。乾式エッチング方法を使用して、周辺部Pの部分B、即ちゲートパッド24上の保護膜70、半導体層42、ゲート絶縁膜30及びデータパッド64の上の保護膜70を除去すると共に、画面表示部Dの部分A、即ちドレーン電極66、データ線の一部以外のデータ配線を覆う部分及びソースとドレーン電極との間を覆う部分の保護膜70は残し、部分Cの薄い感光膜とその下部の保護膜70及び半導体層42を除去する。
請求項（抜粋）：
画面表示部と周辺部とを含む絶縁基板上に、前記画面表示部のゲート線、ゲート電極及び前記周辺部のゲートパッドを含むゲート配線と、画面表示部の共通電極及び共通信号線を含む共通配線とを形成する段階と、前記ゲートパッドの少なくとも一部分を露出し、かつ前記画面表示部内の前記基板及び前記ゲート配線とを覆うゲート絶縁膜パターンを形成する段階と、前記ゲート絶縁膜パターン上に半導体層パターンを形成する段階と、前記半導体層パターン上に接触層パターンを形成する段階と、前記接触層パターン上に前記画面表示部内にデータ線、ソース電極及びドレーン電極とを、前記周辺部内にデータパッドを、それぞれ含むデータ配線を形成する段階と、前記データ配線の上に保護絶縁膜パターンを形成する段階と、前記ドレーン電極と連結され、かつ画素信号線と画素電極とを含む画素配線を形成する段階とを含み、部分に応じて厚さが異なる感光膜パターンを使用して前記ゲート絶縁膜パターンを形成し、前記感光膜パターンを用いたエッチング過程で前記保護絶縁膜パターン及び前記半導体パターンを共に形成する液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
IPC (3件)：
G02F 1/1365
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 D
