特許

J-GLOBAL ID：200903016431222948

半導体発光素子

発明者： 若月 温 ,  河村 裕一 ,  岩村 英俊
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 玉蟲 久五郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-217874
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041562
出願日： 1991年08月02日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 高品質で、かつDFB化も容易なInGaAs/InGaAlAs系レーザ等の半導体発光素子を実現する。【構成】 第1導電形のInP半導体基板1上に、クラッド層となる第1導電形を有する第1の半導体層2と、ガイド層となる第2の半導体層12と、活性層となる第3の半導体層4と、ガイド層となる第4の半導体層11と、クラッド層となる第2導電形を有する第5の半導体層6と、電極層となる第2導電形を有する第6の半導体層7とを順次積層した構造の半導体発光素子において、活性層となる第3の半導体層4がIn(1-x-y) Gax Aly As量子井戸層(0≦x,y≦1)及びIn(1-X-Y) GaX AlY As障壁層(0≦X,Y≦1)を積層した多重量子井戸構造からなり、ガイド層となる第2、及び第4の半導体層11,12をIn(1-u)Gau As(1-v) Pv 半導体層(0≦u,v≦1)とした。

請求項（抜粋）：

第1の導電形のInP半導体基板上に、クラッド層となる第1の導電形を有する第1の半導体層と、ガイド層となる第2の半導体層と、活性層となる第3の半導体層と、ガイド層となる第4の半導体層と、クラッド層となる第2の導電形を有する第5の半導体層と、電極層となる第2の導電形を有する第6の半導体層とを順次積層した構造の半導体発光素子において、活性層となる第3の半導体層がIn(1-x-y) Gax Aly As量子井戸層(0≦x,y≦1)及びIn(1-X-Y) GaX AlY As障壁層(0≦X,Y≦1)を積層した多重量子井戸構造からなり、ガイド層となる第2、及び第4の半導体層をIn(1-u) Gau As(1-v) Pv 半導体層(0≦u,v≦1)としたことを特徴とする半導体発光素子。