特許

J-GLOBAL ID：200903016433137603

半導体装置の製造方法

発明者： 岸本 光司 ,  小柳 賢一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-057731
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256232
出願日： 1997年03月12日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 微細で高アスペクト比のコンタクトホール内やビアホール内に残存するフルオロカーボン系堆積物やホール底部の絶縁物を効率良く除去する。【解決手段】 絶縁膜103上の所定の位置にコンタクトホール104を形成した後、アルゴン、水素および酸素を含むプラズマ107によりコンタクトホール104のプラズマ処理を行う。前記アルゴン、水素および酸素を含むプラズマは、酸素の原子数が水素の原子数の2分の1未満となる条件で発生させる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上の所定の位置に前記シリコン基板に達するコンタクトホールを形成する工程と、前記シリコン基板をプラズマ発生装置内に挿入し、アルゴン、水素および酸素を含むプラズマを発生させて前記コンタクトホールのプラズマ処理を行う工程と、前記コンタクトホールを所定の材料により埋設してシリコン基板に接続する配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/90 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-286115
  
• アッシング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-046822   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平3-173125