特許

J-GLOBAL ID：200903016448236950

半導体の表面を荒くする方法

発明者： 酒井 士郎 ,  イーヴ ラクロワ
出願人/特許権者： 酒井 士郎 ,  ナイトライド・セミコンダクター株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-289103
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100609
出願日： 2000年09月22日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 LEDを構成する半導体の表面を荒くする簡易な方法を提供する。【解決手段】 半導体16上に、熱処理により不均一に混合する性質を有する第1の材料18と第2の材料20とを堆積し、これを熱処理した後、第1の材料18に対するエッチング速度が第2の材料20及び半導体16に対するエッチング速度よりも小さな反応性イオンエッチング法によりエッチング処理を行う。この際、第1の材料18を多く含む領域22がエッチングマスクとして働くので、半導体16の表面に所定の荒れを簡易に形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体の表面に、熱処理により不均一な混合状態となる性質を有する第1の材料と第2の材料とを堆積し、前記2つの材料が堆積された半導体を熱処理し、前記半導体の前記2つの材料が堆積された面を、一方の材料のエッチング速度が他方の材料及び半導体材料のエッチング速度より遅いエッチング方法でエッチング処理することを特徴とする半導体の表面を荒くする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/302 J

Fターム (6件)：

5F004BA04 ,  5F004DB19 ,  5F004EA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-288871
  
• 凸凹シリコン膜の形成方法と半導体メモリデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-188329   出願人：日本電気株式会社
• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-320372   出願人：三洋電機株式会社