特許
J-GLOBAL ID：200903082814121064
凸凹シリコン膜の形成方法と半導体メモリデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-188329
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017975
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 簡単な工程で制御性良く形成でき、凸凹の高さが十分大きく表面積の大きな凸凹ポリシリコン膜を形成する方法を提供する。【構成】 基板上にアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜上に極薄膜の金属または化合物を成膜する。続いて、アモルファスシリコン膜表面をドライエッチングすることにより凸凹アモルファスシリコン膜を形成し、これを加熱し多結晶化することで凸凹ポリシリコン膜を形成する。【効果】 従来のような膜除去のためのエッチング工程が不要であり、簡単なプロセスで形成できる。さらに、ドライエッチングに対する選択性が強いため、凸凹高さを制御性良く形成でき、ドライエッチング量を多くすることによって、柱状の凸凹表面の高さを増大させることができ、それによって大きなキャパシタ容量が得られる。
請求項（抜粋）：
膜厚が不均一または島状に形成された金属膜または化合物膜をドライエッチングの選択マスクとしてシリコン膜表面を凸凹にする凸凹シリコン膜の形成方法であって、選択マスクとして、物理的または化学的薄膜成長法で50Å以下に成膜した金属膜を酸化した金属酸化膜または直接成膜した50Å以下の金属酸化膜を用いることを特徴とする凸凹シリコン膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 621 C
, H01L 27/04 C
