半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長尾常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-168720
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017731
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】アモルファスシリコン膜を結晶化するに際して、低温処理が可能で、しかもキャリア移動度にバラツキが発生し難い製造方法を提供する。【構成】通常のガラス基板上に堆積されたアモルファスシリコン膜に、エキシマランプ光を照射してアニールし、アモルファスシリコン膜から多結晶シリコン膜を生成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に堆積された又は堆積中のアモルファス半導体膜に高エネルギー光を照射して、該アモルファス半導体膜を結晶化する半導体装置の製造方法において、上記高エネルギー光の光源として、RF波あるいはマイクロ波照射により無電極で励起され主として紫外線域のインコヒーレント光を放射するランプを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭61-236119
マイクロ波励起型紫外ランプ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-260381 出願人：理化学研究所
特開昭62-211851

全件表示

前のページに戻る