特許
J-GLOBAL ID：200903016460648318
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-168720
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017731
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 アモルファスシリコン膜を結晶化するに際して、低温処理が可能で、しかもキャリア移動度にバラツキが発生し難い製造方法を提供する。【構成】 通常のガラス基板上に堆積されたアモルファスシリコン膜に、エキシマランプ光を照射してアニールし、アモルファスシリコン膜から多結晶シリコン膜を生成する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に堆積された又は堆積中のアモルファス半導体膜に高エネルギー光を照射して、該アモルファス半導体膜を結晶化する半導体装置の製造方法において、上記高エネルギー光の光源として、RF波あるいはマイクロ波照射により無電極で励起され主として紫外線域のインコヒーレント光を放射するランプを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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