特許

J-GLOBAL ID：200903016483529421

半導体装置の製造方法

発明者： 藤原 広和 ,  小西 正樹 ,  山本 武雄 ,  奥野 英一 ,  渡辺 行彦 ,  勝野 高志
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-113063
公開番号（公開出願番号）：特開2009-266969
出願日： 2008年04月23日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：

【課題】 炭化珪素基板の表面を保護するキャップ層を容易に除去する技術を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、炭化珪素基板に導電性不純物を導入する導入工程と、導電性不純物を導入した炭化珪素基板の表面にキャップ層を形成する被覆工程と、キャップ層を形成した炭化珪素基板を脱酸素雰囲気下で加熱処理し、炭化珪素基板に導入した導電性不純物を活性化させる第1アニール工程と、第1アニール工程後の炭化珪素基板を酸素含有雰囲気下で加熱処理し、キャップ層を酸化させる第2アニール工程を備える。キャップ層を形成する材料には、融点が第1アニール工程における処理温度以上であるとともに、酸化開始温度が1000°C以下の金属炭化物を用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法であって、 炭化珪素基板に導電性不純物を導入する導入工程と、 導電性不純物を導入した炭化珪素基板の表面に金属炭化物を含むキャップ層を形成する被覆工程と、 キャップ層を形成した炭化珪素基板を脱酸素雰囲気下で加熱処理し、炭化珪素基板に導入した導電性不純物を活性化させる第1アニール工程と、 第1アニール工程後の炭化珪素基板を酸素含有雰囲気下で加熱処理し、前記キャップ層を酸化させる第2アニール工程と、 第2アニール工程後の炭化珪素基板から前記キャップ層を除去する除去工程と、 を備える半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

H01L21/265 602A ,  H01L21/265 Z ,  H01L29/48 P

Fターム (7件)：

4M104AA03 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB21 ,  4M104DD26 ,  4M104FF13 ,  4M104FF32

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 炭化けい素半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-240172   出願人：富士電機株式会社