特許
J-GLOBAL ID：200903060031054212
炭化けい素半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-240172
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068428
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】イオン注入された不純物を活性化するためのアニール後のSiC表面を清浄かつ平滑に保持し、良好な特性の炭化けい素半導体素子を作製する方法を提供する。【解決手段】表面層に不純物イオンを注入し、マスク、酸化膜等を除去した表面に、保護膜を堆積して高温アニールをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。保護膜には、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜や、フォトレジストが使用できる。また、フォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、その膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなう。
請求項（抜粋）：
炭化けい素結晶板の表面層に不純物のドーピングとその後のアニールにより不純物領域を形成する炭化けい素半導体素子の製造方法において、マスクを用いた選択的なドーピングをおこない、マスクを除去した後、表面に保護膜を堆積してアニールをおこない、アニール後その保護膜を除去することを特徴とする炭化けい素半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265 602
, H01L 21/22
, C23C 14/06
H01L 21/265 602 A
, H01L 21/22 P
, C23C 14/06 F
4K029AA04
, 4K029AA24
, 4K029BA55
, 4K029BB03
, 4K029BB10
, 4K029CA05
