特許
J-GLOBAL ID：200903016485897878
ドライエッチング方法及びこの方法に使用するドライエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-128253
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313281
出願日： 2000年04月27日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：
【要約】【課題】 基板の酸化膜除去をドライエッチングで行う場合において、基板面内におけるエッチングレートの均一性を向上させる。【解決手段】 処理室2内の下部電極3上にSOI基板20を配置し、上部電極4としては、SOI基板20におけるチャージアップの大きい部分(中央部分)と対向する部分が、SOI基板20側に突出するように段差が形成されたものを用い、処理室2内にエッチングガスを導入すると共に、下部電極3に高周波電力を印加することでSOI基板20の絶縁酸化膜を除去する。この上部電極4における突出した部分においては電極間のインピーダンスが低下し、エッチングガスから生成したイオンの密度が上昇するため、SOI基板20におけるエッチングレートの均一性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
対向配置される第1及び第2の電極(3、4)と、前記第1及び第2の電極が設けられる処理室(2)とを有し、前記第1及び第2の電極間のうちの前記第1の電極(3)上に、絶縁膜(20c)が備えられた基板(20)を配置し、前記処理室内にエッチングガスを導入すると共に前記第1及び第2の電極に高周波電力を印加することで、前記絶縁膜を除去するようになっているドライエッチング装置において、前記第2の電極(4)に対して、ドライエッチング時に前記基板に帯電される電荷の分布に基づいて、段差が形成されていることを特徴とするドライエッチング装置。
IPC (6件)：
H01L 21/3065
, G01C 19/56
, G01P 9/04
, G01P 15/125
, H01L 29/84
, H05H 1/46
G01C 19/56
, G01P 9/04
, G01P 15/125
, H01L 29/84 Z
, H05H 1/46 M
, H01L 21/302 C
2F105BB04
, 2F105BB20
, 2F105CC04
, 2F105CD03
, 2F105CD05
, 2F105CD13
, 4M112AA01
, 4M112BA07
, 4M112CA26
, 4M112DA03
, 4M112EA02
, 5F004AA01
, 5F004BA06
, 5F004BB13
, 5F004DA01
, 5F004DA16
, 5F004DA23
, 5F004DB03
