特許

J-GLOBAL ID：200903016488906975

半導体装置の製造方法と製造装置

発明者： 菊地 純
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-049547
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263416
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板表面の自然酸化膜を除去するのに適した半導体装置の製造技術に関する。【構成】 (x)HF蒸気およびH2 Oまたはアルコールの蒸気で基板を処理する工程と、(a)水素含有ガスの流れに励起エネルギを与え、プラズマ化する工程と、(b)プラズマ化された水素含有ガスの流れ下流で弗化窒素含有ガスを添加する工程と、(c)弗化窒素含有ガスを添加されたガスの流れ下流で前記(x)工程後の基板をガスに曝して処理する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

(x)HF蒸気およびH2 Oまたはアルコールの蒸気で基板を処理する工程と、(a)水素含有ガスの流れに励起エネルギを与え、プラズマ化する工程と、(b)プラズマ化された水素含有ガスの流れ下流で弗化窒素含有ガスを添加する工程と、(c)弗化窒素含有ガスを添加されたガスの流れ下流で前記(x)工程後の基板をガスに曝して処理する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 P ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 B

引用特許：

出願人引用 (2件)

• SiO2 膜のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-098895   出願人：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩
• 特開平4-096226
  

審査官引用 (2件)

• SiO2 膜のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-098895   出願人：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩
• 特開平4-096226