特許
J-GLOBAL ID：200903016491912951

導電性高分子の精製方法、正孔注入層形成材料、及び有機EL装置の製造方法

発明者：
石井 隆司

石井 隆司 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-179590
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005144
出願日： 2004年06月17日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】 導電性高分子を精製する際に、特に凝集の核となる低分子成分を比較的短時間で除去することができ、しかも低分子成分と同時に不純物となる金属イオンやアニオンも除去することのできる導電性高分子の精製方法と、この方法によって得られた正孔注入層形成材料、及びこの正孔注入層形成材料を用いた有機EL装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ドナー性高分子とアクセプタ性高分子とからなる導電性高分子を、溶媒または分散媒中にてイオン交換樹脂と接触させ、その低分子側をイオン交換することで分画する導電性高分子の精製方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ドナー性高分子とアクセプタ性高分子とからなる導電性高分子を、溶媒または分散媒中にてイオン交換樹脂と接触させ、その低分子側をイオン交換することで分画することを特徴とする導電性高分子の精製方法。
IPC (3件)：
H01L 51/50 ,  C08L 25/18 ,  C08L 65/00
FI (4件)：
H05B33/22 D ,  C08L25/18 ,  C08L65/00 ,  H05B33/14 A
Fターム (5件)：
3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  4J002BC10X ,  4J002CE00W ,  4J002GQ02
引用特許：
出願人引用 (3件)

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