特許

J-GLOBAL ID：200903016499766334

半導体装置の製造方法

発明者： 安藤 公一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-318621
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176627
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】DRAMなどの極薄キャパシタ絶縁膜において、漏れ電流を低減し、長期信頼性を向上させる。【構成】下層電極7の多結晶シリコン膜表面の自然酸化膜8を除去するSiH4ガス中に熱処理による自然酸化膜除去工程と、窒化シリコン膜9の減圧気相成長工程を連続して行う。【効果】多結晶シリコン膜(7)と窒化シリコン膜9の界面に自然酸化膜の存在しないキャパシタ絶縁膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の所定の絶縁膜の表面を選択的に被覆する多結晶シリコン膜からなる下層電極を形成する工程と、SiH4 ガスを含む雰囲気中で熱処理を行なって前記下層電極表面の自然酸化膜を除去したあと酸化性雰囲気に曝すのを避けて窒化シリコン膜を形成する工程とを含むキャパシタ形成工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 27/10 325 C ,  H01L 21/302 N ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-186632
  
• シリコン自然酸化膜の「その場」除去方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-111591   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平2-290050