特許

J-GLOBAL ID：200903016507450910

不揮発性メモリ装置及びその読出方法

発明者： 權 錫千 ,  金 鎭棋
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-259795
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106689
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 外部信号の待機保留による時間損失を抑制してより高速に連続的データ出力動作をすることが可能な不揮発性メモリ装置を提供する。【解決手段】 第1グループ1Aのビットラインとその残りの第2グループ1Bのビットラインにそれぞれ接続され、その読出データを貯蔵するための第1グループ及び第2グループのページバッファ12A,12Bを備え、選択ワードラインに接続されたメモリセルのデータを両ページバッファ12A,12Bに貯蔵した後、読出エネーブル信号に応じてその貯蔵データの出力動作を開始し、第1グループのページバッファ12Aに貯蔵したデータを入出力端子へ伝送する動作が完了すると、第2グループのページバッファ12Bに貯蔵したデータを入出力端子へ伝送すると共に第1グループのページバッファ12Aに次の選択ワードラインに接続されたメモリセルのデータを貯蔵するように制御する。

請求項（抜粋）：

ワードラインと接続された多数のメモリセルの記憶データを対応する多数のビットラインを通じて一度に読出すようにした不揮発性メモリ装置において、前記多数のビットラインのうち所定数の第1グループのビットラインとその残りの第2グループのビットラインにそれぞれ接続され、これら第1グループ及び第2グループのビットラインによる読出データを貯蔵するための第1グループ及び第2グループのページバッファと、選択ワードラインに接続された多数のメモリセルのデータを前記第1グループ及び第2グループのページバッファに貯蔵した後、データ読出期間中周期的にトグルする読出エネーブル信号に応じてその貯蔵データの出力動作を開始し、前記第1グループのページバッファに貯蔵したデータを入出力端子へ伝送する動作が完了すると、前記第2グループのページバッファに貯蔵したデータを前記入出力端子へ伝送すると共に前記第1グループのページバッファに次の選択ワードラインに接続されたメモリセルのデータを貯蔵する動作を行わせる読出制御手段と、を備えることを特徴とする不揮発性メモリ装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 7/00 312

FI (2件)：

G11C 17/00 520 A ,  G11C 7/00 312 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-203570   出願人：株式会社日立製作所