特許
J-GLOBAL ID：200903016510494333

MIS構造を有する半導体装置及びその製造方法

発明者：
田村 彰良

田村 彰良 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-010960
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153867
出願日： 1995年01月26日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】 界面準位密度の少ないGaAsのMIS型素子とその製造方法を提供する。【構成】 ヒータ3で加熱されたGaAs基板1をUV(紫外線)ランプ4を用いて紫外線を照射しながら、オゾン発生機6で発生したオゾンにより酸化し、酸化層7を形成する。続いて赤外線ランプ11で加熱しながらアンモニア雰囲気中GaAs基板1をアニールすることにより、酸化層7を窒化層10に変化させる。オーミック電極16及び導電性電極17形成し、MIS型ダイオードを完成させる。
請求項（抜粋）：
紫外線を照射しながらGaAs基板の表面をオゾン(O3)ガス雰囲気中に曝すことにより、該GaAs基板の表面領域を酸化して、該GaAs基板表面に酸化層を形成する工程と、該GaAs基板をアンモニアガス雰囲気中でアニールすることにより、該酸化層を窒化層に変化させる工程と、該窒化層上に導電性電極を形成する工程とを包含する半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/43 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 301 B
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-010246   出願人：松下電器産業株式会社
  • 特開平2-187029
  • 特開平1-081325
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