特許

J-GLOBAL ID：200903016515267084

酸化物超電導導体およびその製造方法

発明者： 柿本 一臣 ,  保原 夏朗 ,  和泉 輝郎 ,  塩原 融 ,  中村 雄一 ,  大松 一也 ,  藤野 剛三
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ ,  東京電力株式会社 ,  財団法人鉄道総合技術研究所 ,  住友電気工業株式会社 ,  財団法人国際超電導産業技術研究センター
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108611
公開番号（公開出願番号）：特開2000-302596
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月31日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、基材上に厚膜状酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体の提供を目的とする。本発明の製造方法は、基材上に厚膜状の酸化物超電導層を気相法に比べて格段に大きな成膜レートで形成することができる方法の提供を目的とする。本発明の製造方法は、融液により基材を損傷させないようにした製造方法の提供を目的とする。【解決手段】 本発明は、高融点金属からなる基材1と、この基材上の少なくとも一面上に形成された酸化物中間層2と、前記酸化物中間層2上に形成された酸化物超電導体の種膜3と、前記酸化物中間層構成元素のうち少なくとも1種を含み前記超電導体の種膜3上に液相エピタキシー法により形成された超電導基材層5と、この超電導基材層5上に形成された液相エピタキシー法による厚膜状の酸化物超電導層6とを具備してなる。

請求項（抜粋）：

高融点金属からなる基材と、この基材上の少なくとも一面上に形成された酸化物中間層と、前記酸化物中間層上に形成された酸化物超電導種膜と、前記酸化物中間層構成元素のうち少なくとも1種を含み前記超電導種膜上に液相エピタキシー法により形成された超電導基材層と、この超電導基材層上に形成された液相エピタキシー法による厚膜状の酸化物超電導層とを具備してなることを特徴とする酸化物超電導導体。

IPC (2件)：

C30B 29/22 501 ,  H01B 12/06 ZAA

FI (2件)：

C30B 29/22 501 C ,  H01B 12/06 ZAA

Fターム (18件)：

4G077AA03 ,  4G077BC53 ,  4G077CG02 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4G077FE11 ,  4G077HA08 ,  5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321BA01 ,  5G321BA03 ,  5G321BA05 ,  5G321CA04 ,  5G321CA22 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA28 ,  5G321DB28