特許
J-GLOBAL ID:200903016544296174

フォトレジスト剥離除去方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鎌田 文二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-107559
公開番号(公開出願番号):特開2003-303789
出願日: 2002年04月10日
公開日(公表日): 2003年10月24日
要約:
【要約】【課題】 回路基板のような電子部品をフォトリソグラフィ技術で加工処理する際に除去すべきフォトレジストを光学的手段により剥離除去することにより環境汚染、水資源の濫用などをなくし、生産性の向上を図ることができるフォトレジストの剥離除去方法及び装置を得る。【解決手段】 フォトレジストを含む基板を有する回路基板Kを搬送装置Cにより搬送し、フォトレジストに対しレーザ発生装置10から所定強度の短パルスレーザ光を伝送し、照射ヘッド12で所定幅、長さの帯状のレーザ光に変換して照射し、その際照射レーザ光が熱衝撃剥離現象をフォトレジストと基板の界面で生じさせる強度となるよう拡幅調整して照射し、回路基板Kを移動させて全長にわたりフォトレジストを剥離除去するように構成したものである。
請求項(抜粋):
短パルスのレーザ光をレーザ光源から伝送し、伝送されたレーザ光を基板上に塗布又はラミネートされたフォトレジスト又はそれ以上の長さに調整してフォトレジストに照射し、その際照射されるレーザ光がフォトレジストの膜厚、材質に対応してフォトレジストと基板の界面で熱衝撃剥離現象を生じ、剥離するに十分な光強度となるようにレーザ光の幅を調整し、この調整されたレーザ光をフォトレジストに所定時間照射しながら基板を相対的に移動させてフォトレジストを基板から剥離除去するフォトレジスト剥離除去方法。
IPC (4件):
H01L 21/302 201 ,  B23K 26/00 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027
FI (4件):
H01L 21/302 201 B ,  B23K 26/00 H ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 A
Fターム (17件):
2H096AA25 ,  2H096LA01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA03 ,  4E068CA08 ,  4E068CD05 ,  4E068CE04 ,  4E068CG01 ,  4E068CG02 ,  4E068CH08 ,  4E068CJ03 ,  4E068DA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB03 ,  5F004BC06 ,  5F004DB26 ,  5F046MA13
引用特許:
審査官引用 (2件)

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