特許
J-GLOBAL ID：200903016554963543
超音波トランスデューサおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-235816
公開番号（公開出願番号）：特開2004-080193
出願日： 2002年08月13日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】圧電・誘電特性の低下が少ない微細な高性能超音波トランスデューサを提供する。【解決手段】バッキング材(14)、この上にアレイ状に配置された複数の積層圧電体(11)、及び各積層圧電体上に夫々配置された複数の音響整合層(12,13)を有する超音波トランスデューサである。前記積層圧電体は、交互に積層され互いに逆向きに完全に分極処理された第1及び第2の圧電体を含む積層体と、前記積層体の対向する側面に夫々配置された第1及び第2の外部電極と、第1の圧電体の上面及びこの上の第2の圧電体の下面に直接接触して配置され、第1の外部電極に電気的に接続されると共にU字状の絶縁部を介して第2の外部電極と接する第1の内部電極と、第2の圧電体の上面及びこの上の第1の圧電体の下面に直接接触して配置され、第2の外部電極に電気的に接続されると共にU字状の絶縁部を介して第1の外部電極と接する第2の内部電極とを具備することを特徴とする。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
バッキング材と、このバッキング材上にアレイ状に配置された複数の積層圧電体と、前記積層圧電体のそれぞれの上に配置された複数の音響整合層とを有し、
前記積層圧電体は、
交互に積層され、互いに逆向きに完全に分極処理された第1および第2の圧電体を含む積層体と、
前記積層体の対向する第1および第2の側面にそれぞれ配置された第1および第2の外部電極と、
前記第1の圧電体の上面およびこの第1の圧電体上に積層された前記第2の圧電体の下面に直接接触して配置され、前記第1の外部電極に電気的に接続されるとともに、U字状の絶縁部を介して前記第2の外部電極と接する第1の内部電極と、
前記第2の圧電体の上面およびこの第2の圧電体上に積層された前記第1の圧電体の下面に直接接触して配置され、前記第2の外部電極に電気的に接続されるとともに、U字状の絶縁部を介して前記第1の外部電極と接する第2の内部電極と
を具備することを特徴とする超音波トランスデューサ。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H04R17/00 332A
, H04R17/00 330H
, H04R17/00 330J
5D019BB19
, 5D019BB26
, 5D019BB28
, 5D019FF04
, 5D019HH02
, 5D019HH03
