特許

J-GLOBAL ID：200903016556525373

半導体装置及びその製造方法

発明者： 菊池 浩昌 ,  濱嶋 智宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-075130
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274160
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】ボイド等の未接着領域のない接合界面を有する貼り合せ基板を用いた半導体装置を提供する。【構成】第1単結晶シリコン基板1の表面に露出した第1シリコン酸化膜2A,溝3を埋める第2シリコン酸化膜2B及び充填材料の第1多結晶シリコン膜4Aの上に第2単結晶シリコン膜4Bを形成し、研削,研磨したのち不純物を添加し、更にその表面を研磨したのち第2単結晶シリコン基板5を接合する。

請求項（抜粋）：

一導電型の第1半導体基板表面に形成され第1機能素子形成領域と第2機能素子形成領域とを区画し分離する溝と、前記第1機能素子形成領域の前記第1半導体基板表面に形成され前記溝に接する第1絶縁膜と、前記溝の内壁を被覆する第2絶縁膜と、この第2絶縁膜上に形成され前記溝を埋める充填層と、前記第1半導体基板表面に現われた前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜と前記充填層とを含む全面に形成され表面が平坦化された一導電型の多結晶シリコン膜と、この多結晶シリコン膜の平坦面に接合された一導電型の第2半導体基板と、前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜及び前記充填層により電気的に絶縁分離された前記第1機能素子形成領域の前記第1半導体基板に形成された第1機能素子と、前記第2機能素子形成領域の前記第1及び第2半導体基板に形成された第2機能素子とを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 21/304 321 Z ,  H01L 27/12 B ,  H01L 27/12 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-011945   出願人：日本電装株式会社
• 特開平1-144665
  
• 特開平4-225259