特許
J-GLOBAL ID:200903016573524941

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-298553
公開番号(公開出願番号):特開2006-114591
出願日: 2004年10月13日
公開日(公表日): 2006年04月27日
要約:
【課題】 ゲート電極上に形成するコンタクトホールの底面の金属膜の表面が酸化されるのを抑制する。【解決手段】 基板上コンタクトホール19a、19bと、底面に金属膜7aを露出させたゲート電極上コンタクトホール19cとを形成した後、基板上コンタクトホール19a、19bの底面に露出したシリコン基板1にそれぞれ不純物を注入してN型イオン注入層21、P型イオン注入層23を形成する。その後、基板上コンタクトホール19a、19bおよびゲート電極上コンタクトホール19cが埋め込まれない膜厚で、これらのコンタクトホールの内面に金属酸化防止膜24を形成する。そして、熱処理により不純物を活性化させた後に、それぞれのコンタクトホールの底面の金属酸化防止膜24を除去する。 このように形成することにより、上記熱処理において金属膜7aの表面が酸化されるのを抑制することができる。【選択図】 図10
請求項(抜粋):
基板上に電極膜および金属膜を順次積層したゲート電極を形成する工程と、 前記基板上および前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜の中で、底面に前記基板を露出させた基板上コンタクトホールと、底面に前記金属膜を露出させたゲート電極上コンタクトホールとを形成する工程と、 前記基板上コンタクトホールの底面に露出した前記基板に不純物を注入する工程と、 前記基板上コンタクトホールおよび前記ゲート電極上コンタクトホールが埋め込まれない所定膜厚で、前記それぞれのコンタクトホールの側面および底面に金属酸化防止膜を形成する工程と、 前記基板に注入した前記不純物を熱処理して活性化させる工程と、 前記それぞれのコンタクトホールの底面に形成した前記金属酸化防止膜を除去する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件):
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (5件):
H01L21/90 C ,  H01L21/28 L ,  H01L21/90 A ,  H01L27/08 321F ,  H01L29/78 301Y
Fターム (82件):
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD06 ,  4M104DD26 ,  4M104DD28 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH16 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK19 ,  5F033KK34 ,  5F033MM08 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ38 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS15 ,  5F033VV06 ,  5F033WW03 ,  5F033XX09 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BB13 ,  5F048BC06 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048DA27 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF27 ,  5F140BF51 ,  5F140BF59 ,  5F140BF60 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG22 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK22 ,  5F140BK25 ,  5F140BK26 ,  5F140BK32 ,  5F140BK33 ,  5F140CA03 ,  5F140CE07 ,  5F140CF05
引用特許:
出願人引用 (1件)

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