特許
J-GLOBAL ID:200903016573524941
半導体装置の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
高田 守
, 高橋 英樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-298553
公開番号(公開出願番号):特開2006-114591
出願日: 2004年10月13日
公開日(公表日): 2006年04月27日
要約:
【課題】 ゲート電極上に形成するコンタクトホールの底面の金属膜の表面が酸化されるのを抑制する。【解決手段】 基板上コンタクトホール19a、19bと、底面に金属膜7aを露出させたゲート電極上コンタクトホール19cとを形成した後、基板上コンタクトホール19a、19bの底面に露出したシリコン基板1にそれぞれ不純物を注入してN型イオン注入層21、P型イオン注入層23を形成する。その後、基板上コンタクトホール19a、19bおよびゲート電極上コンタクトホール19cが埋め込まれない膜厚で、これらのコンタクトホールの内面に金属酸化防止膜24を形成する。そして、熱処理により不純物を活性化させた後に、それぞれのコンタクトホールの底面の金属酸化防止膜24を除去する。 このように形成することにより、上記熱処理において金属膜7aの表面が酸化されるのを抑制することができる。【選択図】 図10
請求項(抜粋):
基板上に電極膜および金属膜を順次積層したゲート電極を形成する工程と、
前記基板上および前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の中で、底面に前記基板を露出させた基板上コンタクトホールと、底面に前記金属膜を露出させたゲート電極上コンタクトホールとを形成する工程と、
前記基板上コンタクトホールの底面に露出した前記基板に不純物を注入する工程と、
前記基板上コンタクトホールおよび前記ゲート電極上コンタクトホールが埋め込まれない所定膜厚で、前記それぞれのコンタクトホールの側面および底面に金属酸化防止膜を形成する工程と、
前記基板に注入した前記不純物を熱処理して活性化させる工程と、
前記それぞれのコンタクトホールの底面に形成した前記金属酸化防止膜を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件):
H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 21/823
, H01L 27/092
, H01L 21/336
, H01L 29/78
FI (5件):
H01L21/90 C
, H01L21/28 L
, H01L21/90 A
, H01L27/08 321F
, H01L29/78 301Y
Fターム (82件):
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104BB14
, 4M104CC05
, 4M104DD04
, 4M104DD06
, 4M104DD26
, 4M104DD28
, 4M104FF13
, 4M104FF17
, 4M104FF18
, 4M104FF22
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104HH16
, 5F033HH08
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ33
, 5F033KK01
, 5F033KK04
, 5F033KK19
, 5F033KK34
, 5F033MM08
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ28
, 5F033QQ38
, 5F033QQ48
, 5F033QQ65
, 5F033QQ73
, 5F033QQ82
, 5F033RR01
, 5F033RR06
, 5F033RR08
, 5F033SS15
, 5F033VV06
, 5F033WW03
, 5F033XX09
, 5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BB05
, 5F048BB09
, 5F048BB13
, 5F048BC06
, 5F048BF02
, 5F048BF07
, 5F048BF15
, 5F048BF16
, 5F048BF17
, 5F048DA27
, 5F140AA40
, 5F140AB03
, 5F140BA01
, 5F140BF04
, 5F140BF20
, 5F140BF21
, 5F140BF27
, 5F140BF51
, 5F140BF59
, 5F140BF60
, 5F140BG08
, 5F140BG14
, 5F140BG22
, 5F140BH15
, 5F140BJ07
, 5F140BJ11
, 5F140BJ17
, 5F140BJ20
, 5F140BJ27
, 5F140BK02
, 5F140BK13
, 5F140BK21
, 5F140BK22
, 5F140BK25
, 5F140BK26
, 5F140BK32
, 5F140BK33
, 5F140CA03
, 5F140CE07
, 5F140CF05
引用特許:
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