特許

J-GLOBAL ID：200903076467719060

半導体素子の接続孔及びその形成方法、並びに半導体素子の配線構造及び半導体素子

発明者： 黒田 英明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-040441
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213802
出願日： 1996年02月02日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】接続孔を形成するために導電層の上方の層間絶縁層に開口部を形成する際の合わせずれが、たとえ生じたとしても、接続孔に短絡が発生したり絶縁耐圧が劣化しない構造を有する半導体素子の接続孔を提供する。【解決手段】半導体素子の接続孔は、非結晶シリコン21から成るサイドウオールで保護された絶縁膜20が内壁に形成されている。

請求項（抜粋）：

非結晶シリコンから成るサイドウオールで保護された絶縁膜が内壁に形成されていることを特徴とする半導体素子の接続孔。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 27/10 621 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-009026   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭63-275113
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-169723   出願人：三菱電機株式会社