特許

J-GLOBAL ID：200903016579123213

レジスト剥離装置、及びレジスト剥離方法

発明者： 土井 実
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-251348
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064052
出願日： 2000年08月22日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板の搬出入時に、剥離液の蒸気の漏出を防止する。また、剥離液の汚染を低減する。また、レジスト剥離装置の装置性能を向上させる。【解決手段】 処理槽1内で半導体基板2上に形成されたレジスト膜の剥離処理終了後、第2の開閉蓋4を閉じ、第1の領域11に残存する剥離液の蒸気を第1の排気配管7により処理槽1の外に排気する。その後、第1の開閉蓋3を開けて、基板搬入口13から半導体基板2を搬出する。剥離処理中は、半導体基板2から滴下する使用済みの剥離液を回収皿8により回収し、配管81を通して処理槽1の外に廃棄する。

請求項（抜粋）：

レジスト膜が形成された半導体基板が保持される第1の領域と、剥離液を蒸気化させる第2の領域とを有する処理槽と、前記処理槽が有する基板搬入口に形成された第1の開閉蓋と、前記第1の領域と、前記第2の領域とを開閉する第2の開閉蓋と、前記第2の領域に前記剥離液を供給する第1の供給配管と、前記第2の領域に供給された前記剥離液を加熱して蒸気化させる加熱部と、前記第1の領域内の前記蒸気化された剥離液を排気する第1の排気配管と、を備えることを特徴とするレジスト剥離装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/306 D

Fターム (18件)：

2H096AA25 ,  2H096LA02 ,  2H096LA03 ,  5F043AA29 ,  5F043BB21 ,  5F043CC16 ,  5F043DD07 ,  5F043EE03 ,  5F043EE12 ,  5F043EE25 ,  5F043EE27 ,  5F043EE33 ,  5F043EE36 ,  5F043EE37 ,  5F043EE40 ,  5F046MA02 ,  5F046MA03 ,  5F046MA10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-348029
  
• 半導体装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-173045   出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所