半導体装置の製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-173045
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012499
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】本発明は、クロロスルホォン酸等反応性の高いガスを用いてレジスト剥離又は被成膜基板の表面前処理を行う半導体装置の製造装置に関し、クロロスルフォン酸等の蒸気を用いてレジスト膜の除去その他の基板表面の処理を行う、或いは、処理室内の残留ガス及び残留生成物を処理毎に除去して処理ムラを防止するとともに、再現性良く、クロロスルフォン酸等の蒸気を用いて基板表面の処理を行う。【解決手段】薬液のガスにより被処理基板202表面を処理する処理室1と、薬液のガスを生成するための薬液を貯留する薬液貯留室2とが一体的に形成された処理容器101と、薬液貯留室2に貯留された前記薬液を加熱して蒸発させる薬液加熱手段5とを有する。

請求項（抜粋）：

薬液のガスにより被処理基板表面を処理する処理室と、前記薬液のガスを生成するための薬液を貯留する薬液貯留室とが一体的に形成された処理容器と、前記薬液貯留室に貯留された前記薬液を加熱して蒸発させる薬液加熱手段とを有することを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 645 , H01L 21/304 648 , G03F 7/30 501 , H01L 21/027 , H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/304 645 B , H01L 21/304 648 K , G03F 7/30 501 , H01L 21/30 572 A , H01L 21/306 J

Fターム (23件)：

2H096AA25 , 2H096CA01 , 2H096LA01 , 2H096LA06 , 5F043BB27 , 5F043BB30 , 5F043CC14 , 5F043CC16 , 5F043DD07 , 5F043DD10 , 5F043DD30 , 5F043EE01 , 5F043EE07 , 5F043EE10 , 5F043EE12 , 5F043EE23 , 5F043EE28 , 5F043EE35 , 5F043EE40 , 5F046MA02 , 5F046MA03 , 5F046MA05 , 5F046MA10

引用特許：

審査官引用 (9件)

蒸気洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-099227 出願人：新日本製鐵株式会社
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-309717 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平3-284842

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