特許

J-GLOBAL ID：200903016582176506

洗浄装置のライン構成及びその設計方法

発明者： 和氣 智子
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-279519
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102347
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 シリコン半導体装置の製造過程における洗浄装置ライン構成について、新たに採用した材料に由来するクロス汚染を排除しつつ、薬液の共用化を進める際、最小限の予備的な試験検討に基づき、合理的に短時間に、ウエットプロセス処理において薬液を共用化できる処理を選別する方法の提供。【解決手段】 予め、クロス汚染が懸念される元素をウエットプロセス処理に用いる薬液に添加し、シリコン基板を浸し、水洗した後に、シリコン基板表面に付着残留する元素濃度と薬液中の溶存濃度の相関関係を求め、その結果に基づき、薬液を共用化した際、クロス汚染により残留する元素濃度の上限を推定し、その上限において、素子特性の劣化を誘起するか否かを判定し、薬液共用化の可否を決定する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造工程において、ウエットプロセスに使用される洗浄装置のライン構成を設計するに際し、複数のウエットプロセス工程で使用される同種の薬液について、前記薬液中に溶解蓄積される不純物元素の推定溶存濃度を見積もり、次いで、前記推定溶存濃度において、基板上に付着残留する前記不純物元素の付着残留量を見積もり、前記付着残留量が、素子特性に影響を及ぼす所定の基準値を超えない場合、前記薬液を複数のウエットプロセス工程で共用を行うと判定し、前記判定に従って、ウエットプロセスに使用される洗浄装置のライン構成において、薬液の共用を行う構成とすることを特徴とする洗浄装置ライン構成の設計方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 648 G ,  H01L 21/304 648 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-003425
  
• 液濃度コントロール方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-003763   出願人：松下電器産業株式会社