特許

J-GLOBAL ID：200903016604568250

基板上に堆積した有機珪素化合物を含有する材料の薄膜のエッチング法

発明者： 森川 泰宏 ,  林 俊雄
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (1件)： 八木田 茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090308
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289577
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】低圧のまま、エッチング速度を維持させた状態でエッチング時のマイクロトレンチの形成を防止又は低減できる半導体基板上に形成される有機珪素化合物を含有する材料の誘電体薄膜のエッチング法を提供する。【解決手段】基板上に堆積した有機珪素化合物を含有する材料の薄膜をエッチングするに際して、 Ar、CxFyHz(x=1〜5、y=1〜12、z=0〜6)、O2の混合ガスに、N2、NH3、CH3NH2のうちいずれか1種類のガスを添加してエッチングを行うことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

真空チャンバー内にガスを導入してマイクロ波や高周波により放電プラズマを形成すると共に基板に負のバイアス電圧を印加して、基板上に堆積した有機珪素化合物を含有する材料の薄膜をエッチングする方法において、Ar、CxFyHz(x=1〜5、y=1〜12、z=0〜6)、O2の混合ガスに、少なくともガスの成分のうちN原子を含むガスを添加してエッチングを行うことを特徴とする基板上に堆積した有機珪素化合物を含有する材料の薄膜のエッチング法。

Fターム (10件)：

5F004AA05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004EB03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置のドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-245656   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平4-255217
  
• 特開平4-255217