特許
J-GLOBAL ID：200903084719308320

半導体装置のドライエッチング方法

発明者：
池上 尚克

池上 尚克 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245656
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077086
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【目的】 低誘電率層間絶縁膜である有機SOG膜を用いるビアホールのドライエッチングエッチングにおいて、有機SOG膜のエッチング速度を向上させ、かつ、ビアホールの形状が安定するようなドライエッチング条件を提供する。【構成】 低誘電率層間絶縁膜として有機SOG膜が用いられたビアホールのドライエッチングエッチングガスとしてC4F8及びO2とを少なくとも含む混合ガスを用い、 O2/(C4F8+O2)の混合比を50%以下にすることによってビアホールのドライエッチングをおこなう。その結果、有機SOG膜のエッチング速度が大きくなり、しかも、ビアホールの形状も安定する。
請求項（抜粋）：
有機SOG膜から成る絶縁膜に、C4F8及びO2とを少なくとも含む混合ガスによりコンタクトホールを形成する半導体装置のドライエッチング方法において、O2の流量はC4F8+O2の流量の50%以下であることを特徴とする半導体装置のドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 S
Fターム (38件)：
5F004AA00 ,  5F004BA04 ,  5F004BA13 ,  5F004BB11 ,  5F004BD01 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EA14 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F004FA08 ,  5F033JJ19 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR25 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033TT07 ,  5F033WW06 ,  5F033XX14 ,  5F033XX23 ,  5F033XX27
引用特許：
審査官引用 (7件)
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