特許

J-GLOBAL ID：200903016606481186

ダミーバイアスを使用した高速LSI半導体の金属配線の改善方法および半導体素子

発明者： 沼田 乾 ,  ケイ ヒューストン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-178925
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083797
出願日： 1995年07月14日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【課題】 水平方向に縮小され、高い縦横比を具備した金属導線を有する半導体素子に於ける金属導体の信頼性を改善する方法並びに半導体を提供することを目的とする。【解決手段】 基板上に金属導線を形成し、金属導線の間に低誘電率材を蒸着しそして金属導線に接触した金属製のダミーバイアスを形成する。低誘電率のために熱伝導率も低い体誘電率材を通って放熱できない、金属導線で発生するジュール熱は、熱伝統率の高いダミーバイアスを通って放熱可能としているので、金属導線の温度上昇が押さえられ、結果として金属導線の信頼性が改善される。

請求項（抜粋）：

半導体素子の金属導線の信頼性を強化するための方法であって、少なくとも二つの金属導線を一つの基板上に形成し、低誘電率材を少なくとも前記二つの金属導線の間に蒸着し、前記金属導体に接触して第一ダミーバイアスを形成し、前記金属導線からの熱が前記第一ダミーバイアスに伝達可能であり前記金属導線から放熱されるようにする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01G 4/08 ,  H01G 4/18 321

FI (3件)：

H01L 21/88 S ,  H01G 4/08 B ,  H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-220464
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-324157   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-163941
  
• 特開平2-220464
  
• 特開平4-163941