半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-000410
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202141
出願日： 1994年01月07日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】ウェル間耐圧を向上することにより、ラッチアップ耐性に優れた半導体装置を提供する。【構成】 p- 半導体基板1は、1×1015cm-3程度の濃度で不純物が導入されている。このp- 半導体基板1の表面にn型ウェル領域3とp型ウェル領域5とが形成されている。n型ウェル領域3には、n型不純物が1×1016cm-3程度の濃度となるように導入されており、p型ウェル領域5には、p型不純物が1×1016cm-3程度の濃度となるように導入されている。このn型ウェル領域3とp型ウェル領域5とは、2.0μmの距離を隔てて形成されている。

請求項（抜粋）：

主表面を有し、かつ第1の不純物濃度を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面に形成され、第1の不純物濃度より高い第2の不純物濃度を有する第1導電型の第1のウェル領域と、前記半導体基板の主表面に形成され、第3の不純物濃度を有する第2導電型の第2のウェル領域とを備え、前記第2の不純物濃度を有する領域と前記第3の不純物濃度を有する領域とが前記主表面に沿う方向に沿って2.0μm以上の間隔を有するように、前記第1および第2のウェル領域が配置されている、半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

CMOS集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-132855 出願人：ヤマハ株式会社
特開平4-239765
特開平4-239765

前のページに戻る