基板処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：下出隆史 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-082852
公開番号（公開出願番号）：特開平11-254296
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：

【要約】【課題】従来の回転式基板処理装置とは異なる方式で基板の処理を行うことのできる技術を提供する。【解決手段】第1の基板処理装置は、基板の表面上に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板の表面に弾性進行波を発生させることによって、前記基板の表面上に供給された処理液を前記基板上で移動させる弾性進行波発生部と、を備える。また、第2の基板処理装置は、基板の表面に弾性進行波を発生させる弾性進行波発生部と、前記基板を研磨するための研磨布が貼付された研磨板と、を備え、前記研磨板の研磨布が前記基板を前記弾性進行波発生部の側に押しつけられた状態において、前記弾性進行波発生部が前記基板の表面に弾性進行波を発生させることによって、前記研磨布による基板の研磨を実行する。これらの基板処理装置では、基板を高速回転させずに処理することができる。

請求項（抜粋）：

処理液を用いて基板の処理を行う基板処理装置であって、基板の表面上に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板の表面に弾性進行波を発生させることによって、前記基板の表面上に供給された処理液を前記基板上で移動させる弾性進行波発生部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

B24B 37/00 , H01L 21/027 , H01L 21/304 621

FI (4件)：

B24B 37/00 E , H01L 21/304 621 D , H01L 21/30 564 Z , H01L 21/30 569 F

引用特許：

審査官引用 (9件)

塗膜の平滑化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-324535 出願人：日本鋼管株式会社, 大日本インキ化学工業株式会社
特開平4-286119
CMP研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-312897 出願人：株式会社ニコン

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