特許
J-GLOBAL ID：200903016664183276
半導体センサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 英彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-001548
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200130
出願日： 1997年01月08日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】従来の半導体プロセスとは異なり、電極形成工程を、センサ要素を形成するための半導体基板のエッチング工程に先立って行うことにより、フォトリソグラフィーによる精度の良好な電極パターンを形成することのできる半導体センサの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板20に電極26、28、30を形成し、この電極を被覆するエッチング用マスク27、29、31を形成し、半導体基板20の電極26、28、30を形成しない面からエッチングし、この半導体基板20を他の基板10に接合し、さらに、半導体基板20の電極26、28、30を形成する面からエッチングする。
請求項（抜粋）：
半導体センサの製造方法であって、半導体基板に電極を形成し、この電極を被覆するエッチングマスクを形成し、この半導体基板の電極形成面をエッチングすることを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01L 1/18
, G01P 15/125
H01L 29/84 Z
, G01L 1/18
, G01P 15/125
