特許

J-GLOBAL ID：200903016683559392

CMP装置、研磨パッド及び研磨方法

発明者： 尹 永煥 ,  鈴木 恵友
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-399353
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197586
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 CMP装置を用いたウェーハの研磨において、ウェーハの温度上昇を効率よく抑え、研磨中の基板の温度を均一に保つ。【解決手段】 基板を支持する支持部と、前記基板の表面を研磨するための研磨パッドを備えたCMP装置であって、前記研磨パッドの下に配置された冷却部14と、前記基板の温度を検知するための温度検知部16と、前記温度検知部の結果に応じて、前記冷却部による冷却を制御する温度制御部22,24とを備え、前記冷却部は、ペルチェ素子を有する。

請求項（抜粋）：

基板を把持する把持部と、前記基板の表面を研磨するための研磨パッドと、前記研磨パッドの下に配置され、ペルチェ素子を有する冷却部と、前記基板の温度を検知するための温度検知部と、前記温度検知部の結果に応じて、前記冷却部による冷却を制御する温度制御部と、を備えることを特徴とするCMP装置。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04

FI (4件)：

H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 F ,  B24B 37/00 J ,  B24B 37/04 A

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058AA11 ,  3C058AC01 ,  3C058BA08 ,  3C058BC02 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 研磨工具、研磨装置および研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-362615   出願人：松下電器産業株式会社
• 化学的機械研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-052129   出願人：ソニー株式会社
• 特開平2-199832