特許

J-GLOBAL ID：200903052394506244

化学的機械研磨装置

発明者： 清田 久晴
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-052129
公開番号（公開出願番号）：特開平8-243915
出願日： 1995年03月13日
公開日（公表日）： 1996年09月24日
要約：

【要約】【目的】 パターン依存性や研磨時間依存性を低減しつつ、実用レベルの研磨速度を得ることができる化学的機械研磨装置を提供する。【構成】 研磨ヘッド3に保持された被加工基板5を恒温加熱するための加熱制御手段として、ヒータ部6、10を備えた加熱プレート7及び研磨剤の循環機9を有するとともに、研磨プレート1の温度を検知する温度検知器8と循環機9内の温度を検知する温度検知器11とを有し、各温度検知器8、11の検知温度に基づいてヒータ部6、10の動作を制御する温度制御機能を備えている。

請求項（抜粋）：

被加工基板を保持する研磨ヘッドと、この研磨ヘッドに対向して配置された研磨プレートと、この研磨プレートの上面に取り付けられた研磨パッドと、この研磨パッド上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段とを備えた化学的機械研磨装置において、前記研磨ヘッドに保持された前記被加工基板を所定の温度に恒温加熱する加熱制御手段を具備したことを特徴とする化学的機械研磨装置。

IPC (3件)：

B24B 37/00 ,  B24B 1/00 ,  H01L 21/304 321

FI (3件)：

B24B 37/00 F ,  B24B 1/00 A ,  H01L 21/304 321 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体ウェーハの研磨方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-261510   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開昭53-068493
  
• 特開平4-303931
  
• 特開昭61-265262