特許
J-GLOBAL ID：200903016687476491
半導体実装体とそれを用いた半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-397695
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198485
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 COC型の半導体装置では、第1のLSIチップと第2のLSIチップとの接合において、より強固で安定した接合は困難であった。【解決手段】 第1のLSIチップ16の第1の突起電極15は、錫(Sn)が96.5[%]、銀(Ag)が3.5[%]のSn-3.5Agはんだバンプであり、第2の突起電極19はニッケル(Ni)バンプであるため、第1のLSIチップ16のバンプ15に対して、小径かつ硬度が高い第2のLSIチップ20のバンプ19が食い込んで、第1のLSIチップ16のバンプ15表面に形成された酸化膜を第2のLSIチップ20のバンプ19が突き破って接合されることにより、より強固な接合構造を実現し、高温下での経時的安定性に優れた半導体実装体を実現できる。また融点を低く抑えられるため、各バンプ接合における加工温度を低く設定できるという利点がある。
請求項（抜粋）：
一主面上に第1の内部電極を有し、前記第1の内部電極上に第1の突起電極が形成された第1のLSIチップと、一主面上に外部電極と第2の内部電極とを有し、前記第2の内部電極上に前記第1の突起電極よりも硬度が高く小径の第2の突起電極が形成された第2のLSIチップとの積層構造を有した半導体実装体であって、前記第1のLSIチップと前記第2のLSIチップとが互いに主面どうしが対向されて、前記第1のLSIチップ上の前記第1の突起電極に対して、前記第2のLSIチップの前記第2の突起電極が食い込んで接合されていることを特徴とする半導体実装体。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
