特許
J-GLOBAL ID:200903016703068749
パワー半導体モジュール
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-282638
公開番号(公開出願番号):特開2005-051109
出願日: 2003年07月30日
公開日(公表日): 2005年02月24日
要約:
【課題】パワー半導体の入出力用外部リード端子の形状をスリット状にすることで、寄生インダクタンスによる大電流スイッチング時の過渡的な電圧ノイズを削減し、簡易な構造で高品質・高性能の特性が得られるパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】パワーモジュールの回路接続パターンと少なくとも3本以上の外部接続用リード端子とを有するリードフレーム上に少なくとも1つ以上のパワー半導体素子と前記パワー半導体素子のドライバ用ICとを搭載して各素子をワイヤで電気的に接続し、樹脂により一括モールド封止されたパワー半導体モジュールであって、前記リードフレームには、前記パワー半導体素子および前記ドライバ用ICとが搭載された面と反対側の面に、外部放熱装置との電気的絶縁を図るための絶縁層が設けられており、前記外部リード端子のうち前記パワー半導体素子の入出力端子にあたる部分にスリットないしは溝が形成されている。【選択図】図3
請求項(抜粋):
パワーモジュールの回路接続パターンと少なくとも3本以上の外部接続用リード端子とを有するリードフレーム上に少なくとも1つ以上のパワー半導体素子と前記パワー半導体素子のドライバ用ICとを搭載して各素子をワイヤで電気的に接続し、樹脂により一括モールド封止されたパワー半導体モジュールであって、
前記リードフレームには、前記パワー半導体素子および前記ドライバ用ICとが搭載された面と反対側の面に、外部放熱装置との電気的絶縁を図るための絶縁層が設けられており、
前記外部リード端子のうち前記パワー半導体素子の入出力端子にあたる部分にスリットないしは溝が形成されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (3件):
H01L25/07
, H01L23/50
, H01L25/18
FI (2件):
H01L25/04 C
, H01L23/50 K
Fターム (2件):
引用特許: