特許
J-GLOBAL ID：200903016706271146

第1の基板を第2の基板上へ固定する方法及び三次元回路装置の製造方法

発明者：
ウエルナー パムラー

ウエルナー パムラー について

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ジークフリート シユワルツル

ジークフリート シユワルツル について


出願人/特許権者：
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト

シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト について


代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-320975
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236929
出願日： 1995年11月15日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【課題】 特に三次元回路装置の製造に適する、高融点の金属間化合相を使用して第1の基板を第2の基板上に固定する方法を提供する。【解決手段】 第1の基板11を第2の基板21上に固定するために、第1の基板11上に設けられた導電パターン18の表面上に、有機金属化合物を使用したCVD法にてガリウムが選択的に析出される。ガリウム19は、基板11、21を接合した後、基板間の強固な結合を形成する高融点の金属間化合相をガリウムと共に形成する金属28と混合される。本発明による方法は特に三次元集積のために使用可能である。
請求項（抜粋）：
第1の基板(11)は第1の主面の領域に導電パターン(18)及び誘電体材料製絶縁パターン(16)を含み、有機金属化合物の使用下に気相からの析出によって導電パターン(18)の表面上に選択的にガリウム(19)が析出され、第1の基板(11)はこの第1の基板(11)の第1の主面(14)が第2の基板(21)の第2の主面(21)に接するように第2の基板(21)と接合され、ガリウム(19)は純ガリウムならびに純金属の融点以上の融点を有しかつ基板(11、21)間の強固な結合を形成する金属間化合相をガリウムと共に形成する金属(28)と混合されることを特徴とする第1の基板を第2の基板上へ固定する方法。
IPC (4件)：
H05K 3/36 ,  H01L 21/205 ,  H01L 25/00 ,  H01L 27/00 301
FI (4件)：
H05K 3/36 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 25/00 A ,  H01L 27/00 301 B
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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