ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田中大輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-347010
公開番号（公開出願番号）：特開2001-163894
出願日： 1999年12月07日
公開日（公表日）： 2001年06月19日
要約：

【要約】【解決課題】ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムの製造方法に関して、極めて高純度のビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムが製造可能で、かつ、その製造コストも低廉なものを提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、ビス(アセチルシクロペンタジエニル)ルテニウムを触媒存在下で水添反応させてなる、ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムの製造方法である。この触媒としては、白金触媒、パラジウム触媒、ルテニウム触媒、ラネーニッケル触媒のいずれかを用いるのが好ましい。また、本発明においては、ビス(アセチルシクロペンタジエニル)ルテニウムとして、ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウムと、無水酢酸とをリン酸触媒の存在下で反応させたものを用いることにより、低コストでビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムを製造することができる。

請求項（抜粋）：

下記、化1の構造式で示されるビス(アセチルシクロペンタジエニル)ルテニウムを触媒存在下で水添反応させてなる、下記、化2の構造式で示されるビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムの製造方法。【化1】【化2】

IPC (7件)：

C07F 17/02 , B01J 23/42 , B01J 23/44 , B01J 25/02 , C23C 16/18 , C07B 61/00 300 , C07F 15/00

FI (7件)：

C07F 17/02 , B01J 23/42 X , B01J 23/44 X , B01J 25/02 X , C23C 16/18 , C07B 61/00 300 , C07F 15/00 A

Fターム (9件)：

4H039CA12 , 4H039CB40 , 4H050AA02 , 4H050BE20 , 4H050WB11 , 4H050WB21 , 4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030BA42

引用特許：

出願人引用 (1件)

ビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウム錯体の製造方法およびそれを用いたルテニウム含有薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-225493 出願人：株式会社高純度化学研究所

引用文献：

出願人引用 (1件)

Ligand exchange in substituted ruthenocenes

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