特許
J-GLOBAL ID：200903016735677321
半導体薄膜及びその製膜方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鎌田 文二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-016363
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214785
出願日： 1997年01月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 物理的又は化学的方法により製膜された半導体薄膜をレーザ光の照射により改質して結晶構造の秩序化及び電気的担体の活性化を図ることのできる製膜方法及びこの方法により半導体薄膜を得ること。【解決手段】 自由電子レーザ10からのレーザ光を可変として半導体薄膜材料16にその構成元素の格子振動に共鳴吸収する波長のレーザ光を照射してその結晶構造の秩序化を図ると共に、導入された不純物元素の格子振動に共鳴吸収する波長のレーザ光を照射して電気的担体の活性化を図ることにより半導体薄膜を製膜する。
請求項（抜粋）：
物理的又は化学的方法により形成した半導体薄膜に不純物元素を導入した薄膜の構成元素の結晶構造をこの構成元素の格子振動に共鳴吸収する波長のレーザ光を照射して秩序化し、かつ不純物元素の格子振動に共鳴吸収する波長のレーザ光を照射し局在振動により電気的担体を活性化して成る半導体薄膜。
引用特許：
前のページに戻る
