特許

J-GLOBAL ID：200903016741830255

オンザフライでピン留めされる軟らかいリファレンス層のためのクラッディングされた読出し-書込み導体

発明者： トーマス・シー・アンソニー ,  マニシュ・シャーマ
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-095682
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007985
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】ヒ ゚ン留めされた磁化の向きを必要としないリファレンス層を有する磁気メモリセルの提供。【解決手段】オンサ ゙フライでヒ ゚ン留めされる軟らかい強磁性テ ゙ータ層用の高透磁率の軟らかい磁性材料で完全にクラッテ ゙ィンク ゙された読出し-書込み導体を有する磁気メモリセル(10)。磁気メモリセル(10)は強磁性テ ゙ータ層(11)、その強磁性テ ゙ータ層(11)上に形成された中間層(13)、及び中間層(13)上に形成されたヒ ゚ン留めされない磁化の向き(M1)を有する軟らかい強磁性リファレンス層(17)を含む。軟らかい強磁性リファレンス層(17)は、読出し-書込み導体(19)、及びクラッテ ゙ィンク ゙された読出し-書込み導体を形成するために読出し-書込み導体(19)を完全に包囲する強磁性クラッテ ゙ィンク ゙(21)を含む。読出し磁界(HR)は強磁性クラッテ ゙ィンク ゙(21)を飽和せず、クラッテ ゙ィンク ゙(21)内に概ね閉じこめられ、磁化の向き(M1)を所望の方向に動的にヒ ゚ン留めする。

請求項（抜粋）：

磁気メモリセル(10)であって、変更可能な磁化の向き(M2)としてデータのビットを格納するための強磁性データ層(11)と、前記強磁性データ層(11)と電気的に通じる第1の導体(29)と、前記強磁性データ層(11)と接触する中間層(13)と、及びピン留めされない磁化の向き(M1)を有し、読出し-書込み導体(19)、及びその読出し-書込み導体(19)を完全に包囲する強磁性クラッディング(21)を含む軟らかい強磁性リファレンス層(17)であって、前記強磁性クラッディング(21)が、前記中間層(13)に接触している前記強磁性クラッディング(21)の部分に沿った薄い部分(D1)、及び前記中間層(13)と接触していない前記強磁性クラッディング(21)の部分に沿った厚い部分を含む調整された厚みを有する、軟らかい強磁性リファレンス層(17)とからなり、読出し動作中、前記軟らかい強磁性リファレンス層(17)が、前記読出し-書込み導体(19)を流れる読出し電流(IR)によって生成される読出し磁界(HR)によって所望の向きにオンザフライでピン留めされ、前記読出し磁界(HR)が前記強磁性クラッディング(21)を飽和させず、前記強磁性クラッディング(21)内に概ね閉じ込められ、書込み動作中、前記第1の導体(29)が、前記第1の導体(29)を流れる第1の書込み電流(IW1)に応答して第1の書込み磁界(HW1)を生成するように機能し、前記第1の書込み磁界(HW1)が前記強磁性クラッディング(21)の前記薄い部分(D1)を飽和させ、前記強磁性データ層(11)まで外側に延びる、磁気メモリセル(10)。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (12件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-255308   出願人：三洋電機株式会社