特許

J-GLOBAL ID：200903016759684078

微結晶シリコン膜及び微結晶シリコン膜の作製方法及び光電変換装置及び光電変換装置の作製方法。

発明者： 山崎 舜平 ,  荒井 康行
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-345630
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162123
出願日： 1995年12月09日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【目的】 プラズマCVD法により、高い成膜速度でもって良質な微結晶シリコン膜を成膜する技術を提供する。【構成】 容量結合型のプラズマCVD装置において、珪素の結晶化を助長する金属元素を導入できるソースガスと珪化物気体と水素ガスとを用いて、微結晶珪素膜を基板上に成膜する。この際、珪素の結晶化を助長する金属元素の作用により、高い成膜速度を得ることができる。

請求項（抜粋）：

水素、フッ素、塩素から選ばれた少なくとも1つの元素と、シリコンとを主な構成元素とする微結晶シリコン膜において、前記微結晶シリコン膜には珪素の結晶化を助長する金属元素が含まれており、前記金属元素の濃度が、5×1016cm-3以上、5×1019cm-3以下であることを特徴とする微結晶シリコン膜。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/24 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/24 ,  C30B 29/06 504 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 X

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-329761   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
• 特開昭63-224216
  
• 特許第3110398号