特許
J-GLOBAL ID：200903086464215309

半導体装置およびその作製方法

発明者：
大谷 久

大谷 久 について

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宮永 昭治

宮永 昭治 について

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張 宏勇

張 宏勇 について

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山口 直明

山口 直明 について

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鈴木 敦則

鈴木 敦則 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について

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シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329761
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161634
出願日： 1993年12月01日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 結晶化を助長する触媒元素を用いて、550°C程度、4時間程度の加熱処理で結晶性珪素を得る方法において、加熱処理とレーザー光の照射を併用する。【構成】 ガラス基板11上に形成された非晶質珪素膜12上に極薄の酸化膜13を形成し、ニッケル等の触媒元素を10〜200ppm(要調整)添加した酢酸塩溶液等の水溶液14を滴下する。この状態で所定の時間保持し、スピナー15を用いてスピンドライを行なう。そして、550°C、4時間の加熱処理を行ない、さらにレーザー光を照射することによって、結晶性珪素膜を得る。上記構成において、溶液中の触媒元素の濃度を調整することで、完成した結晶性珪素膜中における触媒元素の濃度を精密に制御することができる。そしてこの結晶性珪素膜を用いることで、高い特性を有する半導体装置を得ることができる。
請求項（抜粋）：
結晶性を有する珪素膜を利用して活性領域が絶縁表面を有する基板上に構成された半導体装置であって、前記活性領域は、非晶質珪素膜に接して該珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を溶媒に解かして保持させ、加熱処理とレーザー光または強光を照射することにより形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/10
FI (2件)：
H01L 29/78 311 Y ,  H01L 31/10 A
引用特許：
審査官引用 (25件)
  • 特開平3-280420
  • 特開平2-140915
  • 半導体装置およびその作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162705   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
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