特許

J-GLOBAL ID：200903016801073912

フォトダイオード構造

発明者： 張 春財
出願人/特許権者： ユナイテッド マイクロエレクトロニクス コープ
代理人 (1件)： 龍華 明裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-286180
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111040
出願日： 2000年09月20日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】接合部の漏れ電流を従来のフォトダイオードデバイスの約10分の1に低下するフォトダイオード構造と、当該フォトダイオード構造の製造方法を提供する。【解決手段】基板200の隣接するアイソレーション領域204から所定の位置に形成されたドープされた第2の導電型領域210と、ドープされた第2の導電型領域が露出するように少なくともアイソレーション領域の端近くの辺縁のストリップを覆うマスク層とを備える。

請求項（抜粋）：

第1の導電型基板と少なくとも一つのアイソレーション領域を有するフォトダイオード構造であって、前記基板において、隣接する前記アイソレーション領域から所定の距離に形成されたドープされた第2の導電型領域と、前記第2の導電型領域が露出するように少なくとも前記アイソレーション領域の端近くの辺縁のストリップを覆うマスク層とを備えることを特徴とするフォトダイオード構造。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 A

Fターム (15件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA03 ,  4M118CA03 ,  4M118FA29 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049NB10 ,  5F049PA10 ,  5F049PA11 ,  5F049PA14 ,  5F049PA20 ,  5F049RA04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-084779
  
• 特開平2-084779
  
• 固体撮像装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-014513   出願人：松下電子工業株式会社