特許
J-GLOBAL ID：200903016823407687
固体撮像装置及び同固体撮像装置を用いたカメラ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山下 穣平
, 志村 博
, 永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-204058
公開番号（公開出願番号）：特開2006-074009
出願日： 2005年07月13日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】 フォトダイオードのリーク電流及びリーク電流不均一性を抑制する。【解決手段】 p型半導体層402内に形成されたn型半導体領域403を有するフォトダイオードと隣接する素子との間に形成された素子分離絶縁膜404と素子分離絶縁膜の下部に形成されたp形半導体層402よりも高濃度のチャネルストップ領域406と、素子分離絶縁膜上の一部に配線層405が形成されている光電変換装置において、各フォトダイオードに隣接する素子分離絶縁膜上部の配線層405の実行面積と電位を統一し、配線層が素子分離絶縁膜を挟んで対向する領域の少なくとも一部にチャネルストップ領域406よりも高濃度のp+暗電流低減領域を設けた。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
複数のフォトダイオードと複数のトランジスタとを備える画素構成を有し、当該画素を複数備える固体撮像装置において、
前記複数のトランジスタには、前記複数のフォトダイオードからの信号をそれぞれ転送する複数の転送トランジスタと、前記複数のフォトダイオードをリセットするリセットトランジスタと、前記転送トランジスタにより転送された前記信号を電圧変換する増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタの出力を共通出力線に接続する選択トランジスタと、を有しており、
前記リセットトランジスタ、及び前記増幅トランジスタ、及び前記選択トランジスタの中の少なくとも二つのトランジスタのゲート及びゲートまでの配線が、前記複数のフォトダイオードの何れかと隣接しており、
前記各フォトダイオードに隣接する、前記各トランジスタのゲート及びゲートまでの配線の長さの和が等しいことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 U
4M118AA06
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA04
, 4M118DB09
, 4M118DD04
, 4M118DD09
, 4M118DD12
, 4M118EA16
, 4M118FA06
, 4M118FA26
, 4M118FA33
, 5C024CX03
, 5C024CX32
, 5C024GY41
, 5C024HX17
, 5C024HX55
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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