特許

J-GLOBAL ID：200903016828888004

窒化物半導体素子及びそれを用いた発光装置

発明者： 長濱 慎一
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-333613
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141614
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】 窒化物半導体を用いた素子構造中に、Alを含む窒化物半導体の層を有する場合に、従来結晶性の悪化やクラックの発生などのため十分に機能しなかったものを改善し、良好な素子特性を得る。【解決手段】 AlNからなる窒化物津半導体基板101の上に、Alを含む窒化物半導体からなる層を有する素子構造103〜111が形成されたレーザ素子とする。この構成により、窒化物半導体基板上の素子構造中に、基板よりも熱膨張係数の小さいAlを含む窒化物半導体層を有することで、そのAlを含む窒化物半導体層を結晶性良く形成することができる。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体基板の上に、窒化物半導体を積層した窒化物半導体素子において、前記窒化物半導体基板がAlを含む窒化物半導体であり、前記積層される窒化物半導体として、Alを含む窒化物半導体からなる第1の窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (4件)：

H01S 5/323 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 5/323 ,  C30B 29/38 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (41件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077DB01 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077HA06 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB17 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB20 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体発光素子、光半導体素子、発光ダイオード及び表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-038138   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-311723   出願人：松下電子工業株式会社